家电网－HEA.CN报道：三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群（HPC），并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片（SoC）等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片
7月25日上午，在三星电子位于京畿道华城厂区，适用新一代全环绕栅极（Gate-All-Around）技术的全球首款3纳米芯片产品出厂纪念活动举行。
据介绍，三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群（HPC），并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片（SoC）等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。
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